Nature.com-a gireniňiz üçin sag boluň.Çäkli CSS goldawy bilen brauzer wersiýasyny ulanýarsyňyz.Iň oňat tejribe üçin täzelenen brauzeri ulanmagy maslahat berýäris (ýa-da Internet Explorer-de Gabat geliş tertibini öçüriň).Mundan başga-da, dowamly goldawy üpjün etmek üçin sahypany stil we JavaScript-de görkezýäris.
Birbada üç slaýdyň karuselini görkezýär.Bir gezekde üç slaýddan geçmek üçin Öňki we Indiki düwmelerini ulanyň ýa-da bir gezekde üç slaýddan geçmek üçin slaýder düwmelerini ulanyň.
Bu ýerde, mikroskale topografiki aýratynlyklary bolan metallaşdyrylan ýüzlerde galiý esasly suwuk metal erginleriniň siňdirişe sebäp bolýan, öz-özünden we saýlama çyglylyk aýratynlyklaryny görkezýäris.Galiý esasly suwuk metal erginleri, gaty ýerüsti dartyşly ajaýyp materiallardyr.Şonuň üçin olary inçe filmlere öwürmek kyn.Galiý we indiýiň elektiki garyndysyny doly çyglamak, mikrostrukturaly mis ýüzünde HCl buglarynyň barlygynda suwuk metal garyndysyndan tebigy oksidi aýyrdy.Bu çyglylyk, Wenzel modeli we osmoz prosesi esasynda san taýdan düşündirilýär, suwuk metallaryň osmoz bilen öçürilmegi üçin mikrostrukturanyň ululygynyň möhümdigini görkezýär.Mundan başga-da, suwuk metallaryň öz-özünden çyglanmagynyň nagyşlary döretmek üçin demir üstündäki mikrostrukturaly sebitlere saýlanyp ugrukdyrylyp bilinjekdigini görkezýäris.Bu ýönekeý proses, daşarky güýç ýa-da çylşyrymly işlemezden uly ýerlerde suwuk metallary deň derejede örtýär we şekillendirýär.Suwuk metaldan ýasalan substratlar uzalanda-da we gaýta-gaýta uzaldylandan soň hem elektrik birikmelerini saklaýandygyny görkezdik.
Galiý esasly suwuk metal erginleri (GaLM) pes eriş nokady, ýokary elektrik geçirijiligi, pes ýapyşyklylygy we akymy, pes zäherliligi we ýokary deformasiýasy ýaly özüne çekiji häsiýetleri sebäpli köpleriň ünsüni özüne çekdi.Arassa galliumyň takmynan 30 ° C ereýän nokady bar we ewtektiki kompozisiýalarda In we Sn ýaly käbir metallar bilen birleşdirilende ereýän nokat otag temperaturasyndan pesdir.Iki möhüm GaLM, galiý indium elektiki garyndysy (EGaIn, 75% Ga we 25% Agramy boýunça, ereýän nokady: 15.5 ° C) we galiý indiý galaýy ewtektiki garyndysy (GaInSn ýa-da galinstan, 68,5% Ga, 21.5% In we 10) % gala, ereýän nokat: ~ 11 ° C) 1.2.Suwuk fazadaky elektrik geçirijiligi sebäpli, GaLM-ler 10, 11, 12 süzülen ýa-da egrilen datçikler ýaly dürli programmalar üçin dartyşly ýa-da deformasiýa edilýän elektron ýollar hökmünde işjeň derňelýär. , 13, 14 we 15, 16, 17-e ýolbaşçylyk edýär. Şeýle enjamlaryň GaLM-den ýerleşdirilmegi, çap edilmegi we nagyşlanmagy bilen ýasalmagy, GaLM-iň interfeýs häsiýetlerini we onuň aşaky substratyny bilmegi we gözegçilik etmegi talap edýär.GaLM-leriň üstki dartyş güýji bar (EGaIn18,19 üçin 624 mNm-1 we Galinstan20,21 üçin 534 mNm-1), olary dolandyrmak ýa-da dolandyrmak kynlaşdyryp biler.Daşky gurşaw şertlerinde GaLM üstünde ýerli galiý oksidiniň gaty gabygynyň emele gelmegi, GaLM-i sferik däl görnüşde durnuklaşdyrýan gabygy üpjün edýär.Bu häsiýet GaLM-i çap etmäge, mikrokanellere ýerleşdirmäge we oksidler tarapyndan gazanylan interfeýs durnuklylygy bilen nagyşlamaga mümkinçilik berýär19,22,23,24,25,26,27.Gaty oksid gabygy GaLM-a iň tekiz ýüzlere ýapyşmaga mümkinçilik berýär, ýöne pes ýapyşykly metallaryň erkin akmagynyň öňüni alýar.GaLM-iň köp ýüzünde ýaýramagy oksidiň gabygyny döwmek üçin güýç talap edýär28,29.
Oksid gabyklaryny, mysal üçin güýçli kislotalar ýa-da esaslar bilen aýryp bolýar.Oksidler bolmadyk ýagdaýynda, GaLM görnüşleri gaty ýerüsti dartgynlylygy sebäpli ähli ýüzlerde diýen ýaly damjalar bolýar, ýöne kadadan çykmalar bar: GaLM metal substratlary çyglaýar.Ga, “reaktiw çyglylyk” diýlip atlandyrylýan proses arkaly beýleki metallar bilen metal baglanyşyklary emele getirýär 30,31,32.Bu reaktiw çyglylyk, köplenç metaldan metal aragatnaşygyny ýeňilleşdirmek üçin ýerüsti oksidleriň ýoklugynda barlanýar.Şeýle-de bolsa, GaLM-de ýerli oksidler bilen hem, oksidler tekiz metal ýüzler bilen kontaktlarda döwülende metaldan metal kontaktlaryň emele gelýändigi habar berildi29.Reaktiw çyglylyk pes kontakt burçlaryna we metal substratlaryň köpüsiniň gowy çyglanmagyna getirýär33,34,35.
GaLM nagşyny emele getirmek üçin şu güne çenli GaLM-ni metallar bilen reaktiw çyglamagyň amatly häsiýetlerini ulanmak boýunça köp gözlegler geçirildi.Mysal üçin, GaLM nagyşlanan gaty metal ýollara ulanylýar, togalanmak, pürkmek ýa-da kölege maskasy bilen 34, 35, 36, 37, 38. GaLM-ni gaty metallara saýlama çyglamak GaLM-a durnukly we gowy kesgitlenen nagyşlary döretmäge mümkinçilik berýär.Şeýle-de bolsa, GaLM-iň ýokary ýerüsti dartgynlygy, hatda demir substratlarda-da ýokary birmeňzeş inçe filmleriň döremegine päsgelçilik döredýär.Bu meseläni çözmek üçin Lakour we başgalar.Altyn örtükli mikrostruktura substratlaryna arassa galiý bugaryp, uly ýerlerde tekiz, tekiz GaLM inçe filmleri öndürmegiň usuly barada habar berdi37,39.Bu usul gaty haýal wakuum çöketligini talap edýär.Mundan başga-da, “GaLM” mümkin bolan göçürme sebäpli beýle enjamlara rugsat berilmeýär40.Buglanmak materialy substrata hem goýýar, şonuň üçin nagşy döretmek üçin bir nagyş gerek.Tebigy oksidleriň ýoklugynda GaLM-iň öz-özünden we saýlanyp alýan topografiki metal aýratynlyklaryny dizaýn edip, tekiz GaLM filmlerini we nagyşlaryny döretmegiň ýoluny gözleýäris.Bu ýerde, fotolitografiki taýdan gurlan metal substratlarda täsin çyglylyk häsiýetini ulanyp, oksidsiz EGaIn-iň (adaty GaLM) öz-özünden saýlanyp alynýandygyny habar berýäris.Iýmitlenmegi öwrenmek üçin mikro derejede fotolitografiki taýdan kesgitlenen ýerüsti gurluşlary döredýäris, şeýlelik bilen oksidsiz suwuk metallaryň çyglylygyny gözegçilikde saklaýarys.EGaIn-iň mikrostrukturaly metal ýüzlerindäki gowulaşan çyglylyk aýratynlyklary, Wenzel modeline we emdirmek prosesine esaslanýan san derňewi bilen düşündirilýär.Netijede, mikrostrukturaly metal çöketlik ýüzlerinde öz-özüňi siňdirmek, öz-özünden we saýlama çyglylyk arkaly EGaIn-iň uly meýdany çöketligini we patterini görkezýäris.EGaIn gurluşlaryny öz içine alýan dartyş elektrodlary we ştamm ölçegleri potensial goşundylar hökmünde görkezilýär.
Absorbsiýa, suwuklygyň ýaýramagyny aňsatlaşdyrýan 41-nji dokumanyň üstüne suwuklyk kapilýar transportdyr.EGaIn-iň HCl bugynda goýlan metal mikrostrukturaly ýüzlerde çygly hereketini derňedik (1-nji surat).Mis aşaky gatlak üçin metal hökmünde saýlandy. Tekiz mis ýüzlerinde, EGaIn reaktiw çyglylyk sebäpli HCl bugynyň barlygynda <20 ° pes kontakt burçuny görkezdi31 (Goşmaça 1-nji surat). Tekiz mis ýüzlerinde, EGaIn reaktiw çyglylyk sebäpli HCl bugynyň barlygynda <20 ° pes kontakt burçuny görkezdi31 (Goşmaça 1-nji surat). На плоских медных поверхностях EGaIn показал низкий краевой угол <20 ° в присутствии паров HCl из-за читивного смачивания31 (дополнительный рисунок 1). Tekiz mis ýüzlerinde, EGaIn reaktiw çyglylyk sebäpli HCl bugynyň barlygynda pes <20 ° kontakt burçuny görkezdi (Goşmaça 1-nji surat).EGaIn 在 l HCl 蒸气 20 出 20 20 20 ° 的 角 角 （（（）） 图）））））EGaIn 在 l HCl На плоских медных поверхностях EGaIn демонстрирует низкие краевы углы <20 ° в присутствии паров HCl из-за матитивного смачивания (дополнительный рисунок 1). Tekiz mis ýüzlerinde, EGaIn reaktiw çyglylyk sebäpli HCl bugynyň barlygynda pes <20 ° kontakt burçlaryny görkezýär (Goşmaça 1-nji surat).EGaIn-iň ýakyn aragatnaşyk burçlaryny köp misde we polimimetilsiloksanda (PDMS) goýlan mis filmlerde ölçedik.
sütündäki sütün (D (diametri) = l (aralyk) = 25 µm, d (sütünleriň arasyndaky aralyk) = 50 µm, H (beýiklik) = 25 µm) we piramidal (ini = 25 µm, beýikligi = 18 µm) Cu-da mikrostruktura / PDMS substratlary.b Tekiz substratlardaky (mikrostrukturasyz) kontakt burçundaky wagta bagly üýtgeşmeler we mis bilen örtülen PDMS bolan sütünleriň we piramidalaryň massiwleri.c, d (c) gapdal görnüşiň aralyk ýazgysy we (d) HCl bugynyň barlygynda sütünler bilen ýer ýüzüne çygly EGaIn-iň ýokarky görnüşi.
Topografiýanyň çyglylyga edýän täsirine baha bermek üçin sütün we piramidal nagyşly PDMS substratlar taýýarlandy, üstünde mis titanium ýelimleýji gatlagy goýuldy (1a surat).PDMS substratynyň mikrostrukturaly ýüzüniň mis bilen laýyk örtülendigi görkezildi (Goşmaça 2-nji surat).EGaIn-iň wagta bagly kontakt burçlary nagyşly we meýilleşdirilen misden ýasalan PDMS (Cu / PDMS) şekillerinde görkezilýär.1b.Nagyşly mis / PDMS-de EGaIn-iň kontakt burçy ~ 1 minudyň içinde 0 ° -e düşýär.EGaIn mikrostrukturasynyň gowulaşan çyglylygy Wenzel deňlemesi bilen ulanylyp bilner \ ({{{{\ rm {cos}}}}} \, {\ theta} _ {{gödek}} = r \, {{{{{{ \ rm {cos}}}}} \, {\ theta} _ {0} \), bu ýerde \ ({\ theta} _ {{gödek}} \) gödek ýeriň kontakt burçuny görkezýär, \ (r \) Faceerüsti gödeklik (= hakyky meýdan / görünýän ýer) we uçardaky aragatnaşyk burçy \ ({\ theta} _ {0} \).EGaIn-iň nagyşly ýüzlerinde güýçlendirilen çyglylygyň netijeleri Wenzel modeli bilen oňat gabat gelýär, sebäbi arka we piramidal nagyşly ýüzleriň r bahalary degişlilikde 1,78 we 1.73.Bu, nagyşly ýerde ýerleşýän EGaIn damjasynyň aşaky relýefiň çukurlaryna aralaşjakdygyny aňladýar.Gurulmadyk ýüzlerdäki EGaIn-den tapawutlylykda, bu ýagdaýda gaty birmeňzeş tekiz filmleriň emele gelýändigini bellemek möhümdir (Goşmaça 1-nji surat).
Injirden.1c, d (Goşmaça film 1) 30 s-den soň, görünýän aragatnaşyk burçunyň 0 ° ýakynlaşmagy bilen, EGaIn siňdirişiň netijesinde ýüze çykýan damjanyň gyrasyndan has uzakda ýaýrap başlaýar (Goşmaça film 2 we goşmaça film) 3-nji surat).Tekiz ýüzleriň ozalky gözlegleri reaktiw çyglylygyň wagt masştabyny inertialdan ýelmeşýän çyglylyga geçmek bilen baglanyşdyrdy.Aineriň ululygy, öz-özüni synlamagyň ýüze çykýandygyny kesgitlemekde esasy faktorlardan biridir.Termodinamiki nukdaýnazardan siňdirilmezden ozal we soň ýerüsti energiýany deňeşdirip, siňdirişiň kritiki aragatnaşyk burçy \ ({\ theta} _ {c} \) alyndy (jikme-jiklikler üçin Goşmaça çekişmä serediň).Netije \ ({\ theta} _ {c} \) \ ({{{({\ rm {cos)))))), \ \ theta} _ {c} = (1 - {\ phi} _ {S}) / (r - {\ phi} _ {S}) \) bu ýerde \ ({\ phi} _ {s} \) postyň ýokarsyndaky fraksiýa meýdanyny görkezýär we \ (r \ ) ýerüsti çişligi aňladýar. Päsgelçilik \ ({\ theta} _ {c} \)> \ ({\ theta} _ {0} \), ýagny tekiz ýerdäki kontakt burçunda ýüze çykyp biler. Päsgelçilik \ ({\ theta} _ {c} \)> \ ({\ theta} _ {0} \), ýagny tekiz ýerdäki kontakt burçunda ýüze çykyp biler. Впитывание может происходить, когда \ ({\ theta} _ {c} \)> \ ({\ theta} _ {0} \), т.е.контийный угол на плоской поверхности. Absorbsiýa \ ({\ theta} _ {c} \)> \ ({\ theta} _ {0} \), ýagny tekiz ýerdäki kontakt burçunda ýüze çykyp biler.当 \ ({\ theta} _ {c} \)> \ ({\ theta} _ {0} \) ， 即 平面 平面。。。。当 \ ({\ theta} _ {c} \)> \ ({\ theta} _ {0} \) ， 即 平面 平面。。。。 Всявание происходит, когда \ ({\ theta} _ {c} \)> \ ({\ theta} _ {0} \), конни угол на плоскости. Soruş \ ({\ theta} _ {c} \)> \ ({\ theta} _ {0} \), uçardaky kontakt burçunda ýüze çykýar.Nagyşdan soňky ýüzler üçin \ (r \) we \ ({\ phi} _ {s} \) \ (1 + \ {(2 \ pi {RH}) / {d} ^ {2} \ hasaplanýar } \) we \ (\ pi {R} ^ {2} / {d} ^ {2} \), bu ýerde \ (R \) sütün radiusyny, \ (H \) sütüniň beýikligini görkezýär we \ ( d \) iki sütüniň merkezleriniň arasyndaky aralykdyr (1a surat).Injirden soňky gurluş üçin.1a, burçy \ ({\ theta} _ {c} \) 60 ° bolup, HCl bugy oksidsiz EGaIn-de \ ({\ theta} _ {0} \) tekizliginden has uly (~ 25 °) Cu / PDMS-de.Şonuň üçin EGaIn damjalary siňdiriş sebäpli 1a-njy suratda düzülen mis çöketligine aňsatlyk bilen girip biler.
Nagyşyň topografiki ululygynyň EGaIn-iň çyglylygyna we siňdirilmegine edýän täsirini öwrenmek üçin mis bilen örtülen sütünleriň ululygyny üýtgetdik.Injirde.2, bu substratlarda kontakt burçlaryny we EGaIn-iň siňdirilişini görkezýär.Sütünleriň arasyndaky l aralyk D sütünleriniň diametrine deňdir we 25 bilen 200 μm aralygynda bolýar.25 µm beýiklik ähli sütünler üçin hemişelikdir.\ ({\ theta} _ {c} \) sütüniň ulalmagy bilen azalýar (1-nji tablisa), bu bolsa has uly sütünli substratlarda siňdirişiň az bolýandygyny aňladýar.Synag edilen ähli ululyklar üçin \ ({\ theta} _ {c} \) \ ({\ theta} _ {0} \) -dan uly we süpürgä garaşylýar.Şeýle-de bolsa, l we D 200 µm nagyşdan soňky ýüzler üçin siňdiriş seýrek bolýar (2-nji surat).
HCl bugyna duçar bolandan soň dürli ululykdaky sütünler bilen Cu / PDMS üstünde EGaIn-iň wagta bagly burç.b - e EGaIn çyglylygyň ýokarky we gapdal görnüşleri.b D = l = 25 µm, r = 1,78.D = l = 50 μm, r = 1.39.dD = l = 100 µm, r = 1,20.eD = l = 200 µm, r = 1.10.Postshli ýazgylaryň beýikligi 25 µm.Bu suratlar HCl bugyna täsir edenden azyndan 15 minut soň düşürildi.EGaIn-de damjalar galiý oksidi bilen HCl bugynyň arasyndaky reaksiýanyň netijesinde ýüze çykýan suwdyr.(B - e) ululykdaky barlaryň hemmesi 2 mm.
Suwuklygyň siňdirilmeginiň ähtimallygyny kesgitlemek üçin başga bir kriteriýa, nagyş ulanylandan soň suwuklygyň üstünde durmagydyr.Kurbin we başgalar.(1) ýazgylar ýeterlik derejede ýokary bolsa, damjalaryň nagyşly ýerlere siňjekdigi habar berildi;(2) sütünleriň arasyndaky aralyk gaty az;we (3) suwuklygyň üstündäki kontakt burçy ýeterlik derejede azdyr42.Şol bir substrat materialy öz içine alýan tekizlikdäki suwuklygyň san taýdan \ ({\ theta} _ {0} \), berkitmek üçin kritiki kontakt burçundan az bolmalydyr, \ ({\ theta} _ {c, {pin))} \), ýazgylaryň arasynda gysmazdan siňdirmek üçin, bu ýerde \ ({\ theta} _ {c, {pin}} = {{{{\ rm {arctan}}}}}} (H / \ big \ {(\) sqrt {2} -1) l \ big \}) \) (jikme-jiklikler üçin goşmaça çekişmä serediň).\ ({\ Theta} _ {c, {pin}} \) bahasy pin ululygyna baglydyr (1-nji tablisa).Siňdirişiň bolup geçýändigini ýa-da ýokdugyny kesgitlemek üçin L = l / H ölçegsiz parametrini kesgitläň.Siňdirilmegi üçin L bosagadaky standartdan pes bolmaly, \ ({L} _ {c} \) = 1 / \ (\ big \ {\ big (\ sqrt {2} -1 \ big) {{\ tan} } {\ theta} _ {{0}} \ uly \} \).EGaIn \ (({\ theta} _ {0} = {25} ^ {\ circ}) \) mis substratda \ ({L} _ {c} \) 5.2.200 μm L sütüni \ ({L} _ {c} \) bahasyndan has ýokary bolany üçin, EGaIn siňdirişi ýüze çykmaýar.Geometriýanyň täsirini has-da barlamak üçin dürli H we l-leriň öz-özünden asylmagyny gördük (Goşmaça 5-nji surat we goşmaça tablisa 1).Netijeler biziň hasaplamalarymyz bilen gowy ylalaşýar.Şeýlelik bilen, L siňdirişiň täsirli çaklaýjysy bolup çykýar;Sütünleriň arasyndaky aralyk sütünleriň beýikligi bilen deňeşdirilende has uly bolanda suwuk metal siňmekden saklanýar.
Çyglylygy substratyň üstki düzümine baglylykda kesgitläp bolýar.Si we Cu-ny sütünlere we uçarlara bilelikde goýmak arkaly ýerüsti düzüminiň EGaIn-iň çyglylygyna we siňmegine edýän täsirini derňedik (Goşmaça 6-njy surat).EGaIn kontakt burçy, tekiz mis düzüminde Si / Cu ikilik üstü 0-dan 75% -e çenli ýokarlanýandygy sebäpli ~ 160 ° -dan ~ 80 ° -e çenli azalýar.75% Cu / 25% Si üstü üçin \ ({\ theta} _ {0} \) ~ 80 °, bu ýokardaky kesgitleme laýyklykda 0.43 deňdir ({L} _ {c} \). .L bilen H = 25 μm sütünler bosagadan 1 uly ({L} _ {c} \) deňdir, patterden soň 75% Cu / 25% Si immobilizasiýa sebäpli siňmeýär.EGaIn-iň kontakt burçy Si goşulmagy bilen ýokarlanýandygy sebäpli, gysmagy we emdirmegi ýeňip geçmek üçin has ýokary H ýa-da aşaky l talap edilýär.Şonuň üçin kontakt burçy (ýagny \ ({\ theta} _ {0} \)) ýeriň himiki düzümine bagly bolany üçin, mikrostrukturada siňdirişiň bolup geçýändigini hem kesgitläp biler.
Nagyşly mis / PDMS-de EGaIn siňdirilmegi, suwuk metaly peýdaly nagyşlara çyglap ​​biler.Iýmitlenmä sebäp bolýan sütün çyzyklarynyň iň az mukdaryna baha bermek üçin, Cu / PDMS-de 1-den 101-e çenli dürli sütün çyzyk belgilerini öz içine alýan nagyşdan soňky çyzyklar bilen EGaIn-iň çyglylyk aýratynlyklary synlandy (3-nji surat).Çyglylyk esasan patterden soňky sebitde ýüze çykýar.EGaIn taýagy ygtybarly gözegçilik edildi we hatar hatar sütünleriň sany bilen köpeldi.Iki ýa-da has az setirli ýazgylar bolanda, siňdiriş hiç haçan diýen ýaly ýüze çykmaýar.Bu kapilýar basyşyň ýokarlanmagy bilen baglanyşykly bolup biler.Siňdiriş sütün görnüşinde ýüze çykmagy üçin, EGaIn kellesiniň egriligi sebäpli döreýän kapilýar basyşy ýeňip geçmeli (Goşmaça 7-nji surat).Bir hatar EGaIn kellesi üçin sütün nagşy bilen 12.5 µm egrilik radiusyny göz öňünde tutsak, kapilýar basyşy ~ 0.98 atm (40 740 Torr).Bu ýokary Laplace basyşy, EGaIn-iň siňdirilmegi netijesinde döreýän çyglylygyň öňüni alyp biler.Mundan başga-da, sütünleriň has az bolmagy EGaIn bilen sütünleriň arasyndaky kapilýal hereket sebäpli ýüze çykýan siňdiriş güýjüni azaldyp biler.
Howada dürli ini (w) nagyşly gurluşly Cu / PDMS-de bir damja EGaIn (HCl bugyna täsir etmezden ozal).Topokardan başlaýan hatar hatarlar: 101 (w = 5025 µm), 51 (w = 2525 µm), 21 (w = 1025 µm), we 11 (w = 525 µm).b EGaIn-iň ugrukdyryjy çyglylygy (a) HCl bugyna 10 minut täsir edenden soň.c, d EGaIn-iň Cu / PDMS-de sütün gurluşlary bilen çyglylygy (c) iki hatar (w = 75 µm) we (d) bir hatar (w = 25 µm).Bu suratlar HCl bugyna täsir edenden 10 minut soň düşürildi.(A, b) we (c, d) üstündäki tereziler degişlilikde 5 mm we 200 µm.(C) içindäki oklar, siňdiriş sebäpli EGaIn kellesiniň egriligini görkezýär.
EGaIn-iň soňky nagyşly Cu / PDMS-de siňdirilmegi, EGaIn-i saýlama çyglylyk arkaly emele getirmäge mümkinçilik berýär (4-nji surat).EGaIn-iň bir damjasy nagyşly ýere goýlup, HCl bugyna sezewar bolanda, EGaIn damjasy ilki ýykylýar we kislota masştabyny aýyrýarka kiçijik aragatnaşyk burçuny emele getirýär.Netijede, siňdiriş damjanyň gyrasyndan başlaýar.Uly meýdany gözlemek, santimetr ölçegli EGaIn-den gazanyp bolar (4a surat, c).Siňdiriş diňe topografiki üstünde ýüze çykýandygy sebäpli, EGaIn diňe nagyş meýdanyny çyglaýar we tekiz ýere ýetende çyglylygy bes edýär diýen ýaly.Netijede, EGaIn nagyşlarynyň ýiti çäkleri berjaý edilýär (4d surat, e).Injirde.4b, esasanam EGaIn damjasynyň ýerleşdirilen ýeriniň töwereginde EGaIn-iň gurulmadyk sebite nädip girýändigini görkezýär.Sebäbi bu işde ulanylan EGaIn damjalarynyň iň kiçi diametri nagyşly harplaryň giňliginden ýokarydy.EGaIn damjalary 27-G iňňe we şpris arkaly el bilen sanjym edilip, iň az ululygy 1 mm bolan damjalara sebäp boldy.Bu meseläni kiçi EGaIn damjalary ulanmak arkaly çözüp bolar.Umuman aýdanyňda, 4-nji surat EGaIn-iň öz-özünden çyglanmagynyň mikrostrukturaly ýüzlere gönükdirilip bilinjekdigini görkezýär.Öňki işler bilen deňeşdirilende, bu çyglylyk prosesi has çalt we doly çyglylygy gazanmak üçin daşarky güýç talap edilmeýär (Goşmaça tablisa 2).
uniwersitetiň nyşany, b, c harpy ýyldyrym görnüşinde.Siňdiriji sebit D = l = 25 µm sütünler bilen örtülendir.d, e (c) gapyrgalaryň ulaldylan şekilleri.(A - c) we (d, e) ölçeg terezileri degişlilikde 5 mm we 500 µm.(C - e), adsorbsiýadan soň ýerdäki ownuk damjalar galiý oksidi bilen HCl bugynyň arasyndaky reaksiýa netijesinde suwa öwrülýär.Suw emele gelmeginiň çyglylyga düýpli täsiri bolmady.Simpleönekeý guratma prosesi arkaly suw aňsatlyk bilen aýrylýar.
EGaIn-iň suwuk tebigaty sebäpli çeýe we uzalyp gidýän elektrodlar üçin EGaIn örtülen Cu / PDMS (EGaIn / Cu / PDMS) ulanylyp bilner.5a suratda dürli ýükleriň aşagyndaky Cu / PDMS we EGaIn / Cu / PDMS garşylyk üýtgemeleri deňeşdirilýär.Cu / PDMS-iň garşylygy dartgynlykda ep-esli ýokarlanýar, EGaIn / Cu / PDMS garşylygy bolsa dartgynlykda pes bolmagynda galýar.Injirde.5b we d, SEM şekillerini we çig Cu / PDMS we EGaIn / Cu / PDMS degişli EMF maglumatlary görkezýär, naprýatageeniýe ulanylmazdan ozal we soň.Üýtgeşik Cu / PDMS üçin deformasiýa, elastiklik gabat gelmezligi sebäpli PDMS-de goýlan gaty Cu filmindäki çatryklara sebäp bolup biler.Munuň tersine, EGaIn / Cu / PDMS üçin EGaIn henizem Cu / PDMS substratyny gowy örtýär we ştamm ulanylandan soň hem hiç hili çatryk ýa-da möhüm deformasiýa bolmazdan elektrik dowamlylygyny saklaýar.EDS maglumatlary, EGaIn-den galiý we indiýyň Cu / PDMS substratynda deň paýlanandygyny tassyklady.EGaIn filminiň galyňlygynyň sütünleriň beýikligi bilen birmeňzeş we deňeşdirilýändigi bellärliklidir. Bu, mundan başga-da topografiki derňew bilen tassyklanýar, bu ýerde EGaIn filminiň galyňlygy bilen postyň beýikliginiň arasyndaky deňeşdirme tapawudy <10% (Goşmaça 8-nji surat we 3-nji tablisa). Bu, mundan başga-da topografiki derňew bilen tassyklanýar, bu ýerde EGaIn filminiň galyňlygy bilen postyň beýikliginiň arasyndaky deňeşdirme tapawudy <10% (Goşmaça 8-nji surat we 3-nji tablisa). Это также подтверждается дальнейшим топографическим матом, где относительная разница между толщиной пленки EGaIn и висотой столба соверляет <10% (дополнительный рис. 8 и краа 3). Bu, mundan başga-da topografiki derňew bilen tassyklanýar, bu ýerde EGaIn filminiň galyňlygy we sütün beýikliginiň arasyndaky tapawut <10% (Goşmaça 8-nji surat we 3-nji tablisa).EGaIn G 厚度 G G 10 10 10 10 10 10% <10% Это также было подтверждено дальнейшим топографическим матом, где относительная разница между толщиной пленки EGaIn и висотой столба соверляла <10% (дополнительный рис 8 и чаа 3). Bu, mundan başga-da topografiki derňew bilen tassyklandy, bu ýerde EGaIn filminiň galyňlygy we sütün beýikliginiň arasyndaky tapawut <10% (Goşmaça 8-nji surat we 3-nji tablisa).Iberilişe esaslanýan bu çyglylyk, EGaIn örtükleriniň galyňlygyny gowy gözegçilikde saklamaga we uly ýerlerde durnukly saklamaga mümkinçilik berýär, bu suwuk tebigaty sebäpli başgaça kyn.5c we e suratlar, asyl Cu / PDMS we EGaIn / Cu / PDMS deformasiýasyna geçirijiligi we garşylygy deňeşdirýär.Görkezişde, degilmedik Cu / PDMS ýa-da EGaIn / Cu / PDMS elektrodlaryna birikdirilende yşyk-diodly indikator açyldy.Üýtgeşik Cu / PDMS uzaldylanda, LED öçýär.Şeýle-de bolsa, EGaIn / Cu / PDMS elektrodlary ýüküň aşagynda-da elektrik birikdirildi we elektrodyň garşylygynyň ýokarlanmagy sebäpli LED çyrasy diňe birneme öçdi.
Cu / PDMS we EGaIn / Cu / PDMS-de ýüküň köpelmegi bilen kadalaşdyrylan garşylyk üýtgeýär.b, d SEM şekilleri we (b) Cu / PDMS we (d) EGaIn / Cu / metilsiloxane ýüklenen (ýokarky) we soň (aşaky) polidiplekslerden öň (ýokarky) we soňundan energiýa dispersiýa rentgen spektroskopiýasy (EDS) derňewi.c, (c) Cu / PDMS we (e) EGaIn / Cu / PDMS birikdirilen yşyk-diodly indikatorlar (ýokarky) we (aşaky) uzalmazdan (~ 30% stres).(B) we (d) ölçeg şkalasy 50 µm.
Injirde.6a, EGaIn / Cu / PDMS-iň garşylygyny 0% -den 70% -e çenli ştamm funksiýasy hökmünde görkezýär.Garşylygyň ýokarlanmagy we dikeldilmegi, Pouilletiň gysyp bolmaýan materiallar (R / R0 = (1 + ε) 2) kanuny bilen oňat gabat gelýän deformasiýa bilen proporsionaldyr, bu ýerde R garşylyk, R0 başlangyç garşylyk, ε 43 ştamm. Beýleki gözlegler, uzaldylanda suwuk gurşawdaky gaty bölejikleriň özlerini täzeden tertipläp we has gowy birleşmek bilen has deň paýlanyp biljekdigini we şeýlelik bilen 43, 44-nji süýräniň artmagyny azaldyp biljekdigini görkezdi. Emma bu işde, Cu filmleriniň bary-ýogy 100 nm galyňlygy sebäpli geçiriji göwrümi boýunça 99% suwuk metaldyr. Emma bu işde, Cu filmleriniň bary-ýogy 100 nm galyňlygy sebäpli geçiriji göwrümi boýunça 99% suwuk metaldyr. Однако в этой работе про проникник состоит из> 99% жидкого металла по обему, так как пленки Ку имеют толщину всего 100 нм. Şeýle-de bolsa, bu işde geçiriji göwrümi boýunça> 99% suwuk metaldan durýar, sebäbi Cu filmleriniň galyňlygy 100 nm.然而 ， 在 由于 由于 由于 由于 由于 由于 nm nm nm 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99然而 ， 在 由于 由于 由于 由于 Cu 薄膜 只有 100 nm 厚 ， 因此 导体 是> 99%Şeýle-de bolsa, bu işde “Cu” filminiň bary-ýogy 100 nm galyňlygy sebäpli, geçiriji 99% -den gowrak suwuk metaldan (göwrümi boýunça) durýar.Şonuň üçin Cu-nyň geçirijileriň elektromehaniki aýratynlyklaryna ep-esli goşant goşmagyna garaşmaýarys.
EGaIn / Cu / PDMS garşylygy 0-70% aralygyndaky ştama garşy adaty üýtgeşme.PDMS şowsuzlygyndan öň gazanylan iň ýokary stres 70% boldy (Goşmaça 9-njy surat).Gyzyl nokatlar Puetiň kanuny bilen çak edilýän teoretiki gymmatlyklardyr.b Gaýtalanýan uzalma sikllerinde EGaIn / Cu / PDMS geçirijilik durnuklylygy synagy.Tigir synagynda 30% ştamm ulanyldy.Salgydaky şkala 0,5 sm.L uzalmazdan ozal EGaIn / Cu / PDMS-iň başlangyç uzynlygydyr.
Ölçeg faktory (GF) datçigiň duýgurlygyny görkezýär we garşylygyň üýtgemeginiň ştamyň üýtgemegine gatnaşygy hökmünde kesgitlenýär45.GF, metalyň geometrik üýtgemegi sebäpli 10% ştammda 1,7-den 70% ştamda 2,6-a çenli ýokarlandy.Beýleki ştamm ölçegleri bilen deňeşdirilende, GF EGaIn / Cu / PDMS bahasy ortaça.Sensor hökmünde, GF aýratyn ýokary bolmasa-da, EGaIn / Cu / PDMS ses derejesiniň pesligine pes signala jogap hökmünde berk garşylyk üýtgemesini görkezýär.EGaIn / Cu / PDMS-iň geçirijilik durnuklylygyna baha bermek üçin, 30% ştammda gaýtalanýan uzalma sikllerinde elektrik garşylygy gözegçilik edildi.Injirde görkezilişi ýaly.6b, 4000 uzalma siklinden soň garşylyk gymmaty 10% -de galdy, bu gaýtalanýan siklleriň dowamynda masştabyň üznüksiz emele gelmegi sebäpli bolup biler46.Şeýlelik bilen, uzalýan elektrod hökmünde EGaIn / Cu / PDMS-iň uzak möhletli elektrik durnuklylygy we süzgüç ölçeýji hökmünde signalyň ygtybarlylygy tassyklandy.
Bu makalada, infiltrasiýa sebäpli ýüze çykan mikrostrukturaly metal ýüzlerde GaLM-iň gowulaşan çyglylyk aýratynlyklaryny ara alyp maslahatlaşarys.EGaIn-iň öz-özünden doly çyglanmagy, sütün we piramidal metal ýüzlerinde HCl bugynyň barlygynda gazanyldy.Muny san taýdan Wenzel modeline we süpürmek bilen zerur bolan çyglylyk üçin zerur bolan mikrostrukturanyň ululygyny görkezýän süpürmek prosesi esasynda düşündirip bolar.EGaIn-iň öz-özünden we saýlama çyglylygy, mikrostrukturaly metal ýüzüne ýolbaşçylyk edip, uly ýerlere birmeňzeş örtükleri ulanmaga we suwuk metal nagyşlaryny döretmäge mümkinçilik berýär.EGaIn bilen örtülen Cu / PDMS substratlary, SEM, EDS we elektrik garşylyk ölçegleri bilen tassyklanylyşy ýaly, uzalanda we gaýtalanýan sikllerden soň hem elektrik birikmelerini saklaýar.Mundan başga-da, EGaIn bilen örtülen Cu / PDMS-iň elektrik garşylygy, ştamm datçigi hökmünde ulanylmagyny görkezýän ulanylýan ştama görä tersine we ygtybarly üýtgeýär.Iýmitlenmeden emele gelen suwuk metallary çyglamak ýörelgesi bilen üpjün edilip bilinjek artykmaçlyklar aşakdakylardyr: (1) GaLM örtügi we örtügi daşarky güýç bolmazdan gazanylyp bilner;(2) Mis bilen örtülen mikrostrukturanyň üstünde GaLM çyglylygy termodinamikdir.emele gelen GaLM filmi deformasiýa wagtynda hem durnukly;(3) mis bilen örtülen sütüniň beýikligini üýtgetmek, dolandyrylýan galyňlygy bilen GaLM filmini emele getirip biler.Mundan başga-da, bu çemeleşme filmiň bir bölegini eýeleýändigi sebäpli filmi döretmek üçin zerur bolan GaLM mukdaryny azaldar.Mysal üçin, diametri 200 μm (25 μm sütünleriň arasyndaky aralyk bilen) sütünler toplumy girizilende, filmiň emele gelmegi üçin zerur bolan GaLM-iň göwrümi (~ 9 μm3 / μm2) filmiň göwrümi bilen deňeşdirilýär. sütünler.(25 µm3 / µm2).Şeýle-de bolsa, bu ýagdaýda Puetiň kanunlaryna görä çak edilýän teoretiki garşylygyň hem dokuz esse ýokarlanýandygyny göz öňünde tutmalydyr.Umuman aýdanyňda, bu makalada ara alnyp maslahatlaşylan suwuk metallaryň täsin çyglylyk aýratynlyklary, uzalýan elektronika we beýleki ýüze çykýan goşundylar üçin suwuk metallary dürli substratlara goýmagyň täsirli usulyny hödürleýär.
PDMS substratlary dartyş synaglary üçin Sylgard 184 matrisasyny (Dow Corning, ABŞ) we 10: 1 we 15: 1 nisbatlarynda garyşdyryp, 60 ° C-de peçde bejermek arkaly taýýarlandy.Mis ýa-da kremniý kremniý wafli (Silikon Wafer, Namkang High Technology Co., Ltd., Koreýa Respublikasy) we adaty tüýdük ulgamyny ulanyp, 10 nm galyňlykdaky titanium ýelimleýji gatlagy bolan PDMS substratlaryna goýuldy.Sütün we piramidal gurluşlar, kremniý wafli fotolitografiki prosesi ulanyp, PDMS substratyna ýerleşdirilýär.Piramidal nagşyň ini we beýikligi degişlilikde 25 we 18 µm.Çyzyk nagşynyň beýikligi 25 µm, 10 µm we 1 µm, diametri we çukury 25 bilen 200 µm aralygynda üýtgeýärdi.
EGaIn-iň kontakt burçy (gallium 75.5% / indiý 24.5%,> 99,99%, Sigma Aldriç, Koreýa Respublikasy) damja görnüşli analizator (DSA100S, KRUSS, Germaniýa) bilen ölçenildi. EGaIn-iň kontakt burçy (gallium 75.5% / indiý 24.5%,> 99,99%, Sigma Aldriç, Koreýa Respublikasy) damja görnüşli analizator (DSA100S, KRUSS, Germaniýa) bilen ölçenildi. Краевой угол EGaIn (марглий 75,5% / индидий 24,5%,> 99,99%, Sigma Aldriç, Республика Коря) измеряли с помощу кулелевного мататора (DSA100S, KRUSS, bar). EGaIn-iň gyrasy burçy (gallium 75.5% / indiý 24.5%,> 99,99%, Sigma Aldriç, Koreýa Respublikasy) damja analizatory (DSA100S, KRUSS, Germaniýa) bilen ölçenildi. EGaIn （.5 75.5% / 铟 24.5% ，> 99.99% igma Sigma Aldrih ， 大韩民国 SA SA SA SA SA DSA100S ， KRUSS ， EGaIn (gallium75.5% / indium24.5%,> 99,99%, Sigma Aldriç, 大韩民国) kontakt analizatory (DSA100S, KRUSS, Germaniýa) bilen ölçenildi. Краевой угол EGaIn (Марглий 75,5% / индидий 24,5%,> 99,99%, Sigma Aldriç, Республика Коря) измеряли с помощю Матурата ама матли (DSA100S, KRUSS, bar). EGaIn-iň gyrasy burçy (gallium 75.5% / indiý 24.5%,> 99,99%, Sigma Aldriç, Koreýa Respublikasy) şekilli gap analizatory (DSA100S, KRUSS, Germaniýa) bilen ölçenildi.Substraty 5 sm × 5 sm × 5 sm aýna kamerada goýuň we 0,5 mm diametrli şpris ulanyp, 4–5 μl damja EGaIn goýuň.HCl bug gurşawyny döretmek üçin kamerany 10 s içinde doldurmak üçin ýeterlik bugarýan substratyň gapdalynda 20 μL HCl ergini (37 wt., Samçun Himiki, Koreýa Respublikasy) ýerleşdirildi.
Surfaceerüsti SEM (Tescan Vega 3, Tescan Korea, Koreýa Respublikasy) arkaly şekillendirildi.EDS (Tescan Vega 3, Tescan Korea, Koreýa Respublikasy) elementar hil derňewini we paýlanyşyny öwrenmek üçin ulanyldy.EGaIn / Cu / PDMS ýerüsti topografiýasy optiki profilometr (The Profilm3D, Filmetrics, ABŞ) arkaly derňeldi.
Uzalýan sikller wagtynda elektrik geçirijiliginiň üýtgemegini derňemek üçin, uzalýan enjamlara (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Koreýa Respublikasy) EGaIn bilen we ýok bolan nusgalar gysyldy we Keýtli 2400 çeşme metrine elektrik birikdirildi. Uzalýan sikller wagtynda elektrik geçirijiliginiň üýtgemegini derňemek üçin, uzalýan enjamlara (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Koreýa Respublikasy) EGaIn bilen we ýok bolan nusgalar gysyldy we Keýtli 2400 çeşme metrine elektrik birikdirildi. Для исследования изменения адтропро адности во время адов растт зения обцы с EGaIn и че него ч члляли на оборудовании для раст ченения (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Ресубклика Кредчич). Uzalýan sikller wagtynda elektrik geçirijiliginiň üýtgemegini öwrenmek üçin uzaldyjy enjamlara (Bending & Stretchable Machine System, SnM, Koreýa Respublikasy) EGaIn bilen we bolmadyk nusgalar oturdyldy we Keýtli 2400 çeşme metrine elektrik bilen birikdirildi.Uzalýan sikller wagtynda elektrik geçirijiliginiň üýtgemegini öwrenmek üçin uzalýan enjamda (Bükmek we uzatmak maşyn ulgamlary, SnM, Koreýa Respublikasy) EGaIn bilen we ýok nusgalar oturdyldy we Keýtli 2400 SourceMeter bilen elektrik birikdirildi.Garşylygyň üýtgemegini nusga ştammynyň 0% -den 70% aralygynda ölçýär.Durnuklylyk synagy üçin garşylygyň üýtgemegi 4000 30% ştamm siklinden ölçenildi.
Okuw dizaýny barada has giňişleýin maglumat üçin bu makala bilen baglanyşykly Tebigaty öwreniş abstraktyna serediň.
Bu gözlegiň netijelerini goldaýan maglumatlar Goşmaça maglumatlar we çig maglumatlar faýllarynda görkezilýär.Bu makala asyl maglumatlary berýär.
Daeneke, T. we ş.m.Suwuk metallar: Himiki esaslar we goşundylar.Himiki.jemgyýet.47, 4073–4111 (2018).
Lin, Y .., Genzer, J. & Dikki, MD Galiý esasly suwuk metal bölejikleriniň sypatlary, ýasalmagy we ulanylyşy. Lin, Y .., Genzer, J. & Dikki, MD Galiý esasly suwuk metal bölejikleriniň sypatlary, ýasalmagy we ulanylyşy.Lin, Y .., Genzer, J. we Dikki, MD Aýratynlyklary, galiý esasly suwuk metal bölejikleriniň ýasalmagy we ulanylmagy. Lin, Y .., Genzer, J. & Dikki, MD 镓 基 液态 金属。。。 Lin, Y .., Genzer, J. & Dikki, MDLin, Y .., Genzer, J. we Dikki, MD Aýratynlyklary, galiý esasly suwuk metal bölejikleriniň ýasalmagy we ulanylmagy.Ösen ylym.7, 2000–192 (2020).
Koo, HJ, Diýmek, JH, Dikki, MD we Welew, OD softhli ýumşak materiýa zynjyrlaryna: ýatlama aýratynlyklary bolan kwazi - suwuk enjamlaryň prototipleri. Koo, HJ, Diýmek, JH, Dikki, MD & Welew, OD softumşak materiýa zynjyrlaryna tarap: ýatlaýjy aýratynlyklary bolan kwazi-suwuk enjamlaryň prototipleri.Koo, HJ, Diýmek, JH, Dikki, MD we Welew, OD Diňe ýumşak maddalardan düzülen zynjyrlara: Memristor aýratynlyklary bolan kwazi-suwuk enjamlaryň prototipleri. Koo, HJ, Diýmek, JH, Dikki, MD & Welew, OD 走向 全 软 电路。。。。。 Koo, HJ, Diýmek, JH, Dikki, MD & Welew, ODKoo, HJ, Diýmek, JH, Dikki, MD we Welew, OD zynjyrlara tarap ähli ýumşak zatlar: Memristor häsiýetleri bilen kwazi-suwuk enjamlaryň prototipleri.Ösen alma mater.23, 3559–3564 (2011).
Bilodeau, RA, Zemlyanow, DY & Kramer, RK Daşky gurşawa täsir edýän elektronika üçin suwuk metal açarlary. Bilodeau, RA, Zemlyanow, DY & Kramer, RK Daşky gurşawa täsir edýän elektronika üçin suwuk metal açarlary.Bilodo RA, Zemlyanow D.Yu., Kramer RK Ekologiýa taýdan arassa elektronika üçin suwuk metal açarlary. Bilodeau, RA, Zemlyanow, DY & Kramer, RK 用于 环境 响应。。。。 Bilodeau, RA, Zemlyanow, DY & Kramer, RKBilodo RA, Zemlyanow D.Yu., Kramer RK Ekologiýa taýdan arassa elektronika üçin suwuk metal açarlary.Ösen alma mater.1600913 (2017) 4-nji interfeýs.
Şeýlelik bilen, JH, Koo, HJ, Dikki, MD & Welew, OD Ion suwuk - metal elektrodlar bilen ýumşak madda diodlarynda häzirki düzediş. Şeýlelik bilen, JH, Koo, HJ, Dikki, MD we Welew, OD Ion suwuk metal elektrodlary bilen ýumşak maddaly diodlarda häzirki düzediş. Так, Дж. Şeýlelik bilen, JH, Koo, HJ, Dikki, MD & Welew, OD Ion suwuk metal elektrodlary bilen ýumşak material diodlarynda häzirki düzediş. Şeýlelik bilen, JH, Koo, HJ, Dikki, MD & Welew, OD 带 液态 金属 电极。。。。 Şeýlelikde, JH, Koo, HJ, Dikki, MD & Welew, OD Так, Дж. Şeýlelik bilen, JH, Koo, HJ, Dikki, MD & Welew, OD Ion suwuk metal elektrodlary bilen ýumşak material diodlarynda häzirki düzediş.Giňeldilen mümkinçilikler.alma mater.22, 625–631 (2012).
Kim, M.- G., Brown, DK & Brand, O. Suwuk metaldan ýasalan ähli ýumşak we ýokary dykyzlykly elektron enjamlary üçin nanofabrika. Kim, M.- G., Brown, DK & Brand, O. Suwuk metaldan ýasalan ähli ýumşak we ýokary dykyzlykly elektron enjamlary üçin nanofabrika.Kim, M.- G., Brown, DK we Marka, O. softumşak we ýokary dykyzlykly suwuk metal esasly elektron enjamlary üçin nanofabrika.Kim, M.- G., Brown, DK we Marka, O. Nanofid suwuk metaldan ýokary dykyzlykly, ýumşak elektronikanyň öndürilmegi.Milli komuna.11, 1–11 (2020).
Guo, R. we ş.m.Cu-EGaIn interaktiw elektronika we KT lokalizasiýasy üçin giňeldilýän elektron gabygydyr.alma mater.Dereje.7. 1845–1853 (2020).
Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Gidroprint elektronikasy: bioelektronika we adam bilen maşyn täsiri üçin ultratin uzaldylan Ag - In - Ga E-deri. Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Gidroprint elektronikasy: bioelektronika we adam bilen maşyn täsiri üçin ultratin uzaldylan Ag - In - Ga E-deri.Lopez, PA, Paýsana, H., De Almeida, AT, Majidi, K. we Tawakoli, M. Gidroprint elektronikasy: Bioelektronika we adam-maşyn täsiri üçin Ag-In-Ga Ultrathin uzalýan elektron deri. Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Gidroprint elektronikasy: bioelektronika we adam-maşyn täsiri üçin ultratin uzaldylan Ag-In-Ga E-deri. Lopes, PA, Paisana, H., De Almeida, AT, Majidi, C. & Tavakoli, M. Gidroprint elektronikasy: bioelektronika we adam-maşyn täsiri üçin ultratin uzaldylan Ag-In-Ga E-deri.Lopez, PA, Paýsana, H., De Almeida, AT, Majidi, K. we Tawakoli, M. Gidroprint elektronikasy: Bioelektronika we adam-maşyn täsiri üçin Ag-In-Ga Ultrathin uzalýan elektron deri.ACS
Yangaň, Y .. We ş.m.Geýip bolýan elektronika üçin suwuk metallara esaslanýan ultra dartyşly we ineredenerli triboelektrik nanogeneratorlar.SAU Nano, 2027–2034 (2018).
Gao, K. we ş.m.Otag temperaturasynda suwuk metallara esaslanýan artykmaç datçikler üçin mikrokanel gurluşlaryny ösdürmek.Ylym.Hasabat 9, 1–8 (2019).
Chen, G. we ş.m.EGaIn superelastiki birleşýän süýümler 500% dartyş ştamyna çydap bilýär we geýip bolýan elektronika üçin ajaýyp elektrik geçirijiligine eýe.ACS alma materine degişlidir.Interfeýs 12, 6112–6118 (2020).
Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. softumşak datçik ulgamlary üçin ewtektiki gallium indiýiniň demir elektrodyna göni sim geçirmegi. Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. softumşak datçik ulgamlary üçin ewtektiki gallium indiýiniň demir elektrodyna göni sim geçirmegi.Kim, S., Oh, J., Jeon, D. we Bae, J. Ewtektiki galiý-indiýiň ýumşak duýgur ulgamlary üçin metal elektrodlara göni baglanyşygy. Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. 将 共 晶 镓 - 铟 直接 连接。。。。 Kim, S., Oh, J., Jeong, D. & Bae, J. soft 共 gallium-indiý metal elektrod gönüden-göni ýumşak datçik ulgamyna birikdirildi.Kim, S., Oh, J., Jeon, D. we Bae, J. Ewtektiki galiý-indiýyň ýumşak sensor ulgamlary üçin metal elektrodlara göni baglanyşygy.ACS alma materine degişlidir.20557–20565 (2019) 11-nji interfeýs.
Yunun, G. we ş.m.Pozitiw piezoelektrikli suwuk metaldan doldurylan magnitorheologiki elastomerler.Milli komuna.10, 1–9 (2019).
Kim, KK Öň duýgur anizotrop metal nanowirleriň perkolasiýa torlary bilen ýokary duýgur we uzalýan köp ölçegli ştamm ölçegleri.Nanolet.15, 5240–5247 (2015).
Guo, H., Han, Y .. Guo, H., Han, Y ..Guo, H., Han, Yuu. Guo, H., Han, Y .., Zhao, W., Yangang, J. & Zhang, L. 具有 高 拉伸 性。。。。 Guo, H., Han, Y .., Zhao, W., Yangaň, J. & Zhang, L.Guo H., Han Yuu, Zhao W., J.aň J. we Ç. L. Köpugurly awtonom öz-özüni bejermek ýokary dartyşly elastomerler.Milli komuna.11, 1–9 (2020).
Zhu X. we ş.m.Suwuk metaldan ýasalan ýadrolary ulanyp, ultramelewşe metal geçiriji süýümler.Giňeldilen mümkinçilikler.alma mater.23, 2308–2314 (2013).
Han, J. we ş.m.Suwuk metal simiň elektrohimiki basyşyny öwrenmek.ACS alma materine degişlidir.31010–31020 (2020) interfeýsi.
Li H. we başgalar.Çeýe elektrik geçirijiligi we täsirli herekete geçmek üçin suwuk metal damjalarynyň bionanofibrler bilen bugarmagy bilen öçürilmegi.Milli komuna.10, 1–9 (2019).
Dikki, MD we ş.m.Ewtektiki gallium-indium (EGaIn): otag temperaturasynda mikrokanellerde durnukly gurluşlary emele getirýän suwuk metal garyndysy.Giňeldilen mümkinçilikler.alma mater.18, 1097-1104 (2008).
Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Suwuk metal esasly ýumşak robotika: materiallar, dizaýnlar we amaly programmalar. Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Suwuk metal esasly ýumşak robotika: materiallar, dizaýnlar we amaly programmalar.Wang, X., Guo, R. we Liu, J. Suwuk metaldan ýasalan ýumşak robotlar: materiallar, gurluşyk we amaly programmalar. Wang, X., Guo, R. & Liu, J. 基于 液态 金属。。。。 Wang, X., Guo, R. & Liu, J. Suwuk metaldan ýasalan ýumşak robotlar: materiallar, dizaýn we amaly programmalar.Wang, X., Guo, R. we Liu, J. Suwuk metaldan ýasalan ýumşak robotlar: materiallar, gurluşyk we amaly programmalar.Ösen alma mater.tehnologiýa, 1800549 (2019).